CN102646705A MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102646705A

(43)申请公布日2012.08.22

(21)申请号201210131045.3

(22)申请日2012.04.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张进成张琳霞郝跃王冲马晓华党李莎鲁明周昊孟凡娜侯耀伟姜腾

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/04(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图2页

(54)发明名称

MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法

栅13源9

栅13

源9

介质8N型AIGaN

主势垒层4

GaN次缓

次2DEG沟道12

A1GaN次势垒层7

GaN主缓冲层3

过渡层2

衬底1

N型AIGaN主势垒层