CN102735712A 一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法 (电子科技大学).docxVIP

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  • 2026-03-12 发布于重庆
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CN102735712A 一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法 (电子科技大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102735712A

(43)申请公布日2012.10.17

(21)申请号201210197280.0

(22)申请日2012.06.15

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人谢光忠朱涛廖剑周泳

蒋亚东杜晓松黎威志太惠玲

(74)专利代理机构成都华典专利事务所(普通

合伙)51223代理人徐丰杨保刚

(51)Int.CI.

GO1N27/00(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法

(57)摘要

CN102735712A本发明公开了一种基于“微井”的气体传感器阵列及其制作方法,①所述气体传感器阵列采用MEMS技术,在SOI晶片表面制备叉指电极,在叉指电极上用SU-8光刻胶制作了出微井隔离层,可防止制备敏感膜时不同叉指电极间敏感材料的交叉污染

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