CN102683202B 一种制作内建应力硅纳米线、以及制作半导体的方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102683202B

(45)授权公告日2014.12.10

(21)申请号201210133929.2

(22)申请日2012.05.03

(73)专利权人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人黄晓橹金秋敏

(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司

31213

代理人王敏杰

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/775(2006.01)

B82Y10/00(2011.01)

JPA,1995.04.25,全文.审查员赵凤瑷

(56)对比文件

US2011104860A1,2011.05.05,全文.

CN101546770A,2009.09.30,全文.

KR20090012474A,2009.02.04,全文.

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

一种制作内建应力硅纳米线、以及制作半导体的方法

(57)摘要

本发明提供了一种