CN102683177A 一种制作半导体内建应力纳米线的方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102683177A

(43)申请公布日2012.09.19

(21)申请号201210136041.4

(22)申请日2012.05.04

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人黄晓橹葛洪涛

(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司

31213

代理人王敏杰

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

一种制作半导体内建应力纳米线的方法

(57)摘要

CN102683177A本发明提供了一种制作内建应力纳米线的方法、制作半导体器件的方法、以及所述方法制作的NWFET半导体器件，本发明所述方法采用后栅工艺(Gate-last),在进行栅极区域刻蚀时，NWFET区域侧面已有SiO?层保护，这时栅极区域的NW受到的反向应力方向是水平方向的，从而有效解决了美国专利US2011