CN102214705A AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102214705A

(43)申请公布日2011.10.12

(21)申请号201110140930.3

(22)申请日2011.05.28

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郝跃张伟毛维马红

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L31/0304(2006.01)

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN102214705A本发明公开一种基于A1GaN材料的紫外光电探测器结构及其制作方法，主要解决现有技术对P型掺杂材料的依赖，该探测器自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN缓冲层(3)、铝组分渐变AlGaN层(4)和有源区(5),铝组分渐变AlGaN层(4)分为上、下两层，下层厚度为20～30nm,铝组