CN102668279B Iii族氮化物半导体激光器元件及制作iii族氮化物半导体激光器元件的方法 （住友电气工业株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102668279B

(45)授权公告日2014.09.10

(21)申请号201080058983.4

(22)申请日2010.11.15

(30)优先权数据

2009-2955742009.12.25JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2012.06.25

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2010/0702922010.11.15

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2011/077856JA2011.06.30

(73)专利权人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市

(72)发明人善积祐介高木慎平池上隆俊

上野昌纪片山浩二

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限

代理人谢丽娜关兆辉

(51)Int.CI.

HO1S5/10(2006.01)

HO1S5/343(2006.01)

(56)对比文件

JP2001-230497A,2001.08.24,全文.

WO2008/093573A1,2008.08.07,全文.US2008/0230766A1,2008.09.25,全文.JP2009-71127A,2009.04.02,全文.

JP2009-81336A,2009.04.16,全文.

审查员刘娟

责任公司11219

权利要求书4页说明书25页附图23页

(54)发明名称

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

(57)摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器 元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的 方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少 因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐 振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。 III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利 用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有 在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸 的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第m1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的

CN缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β

CNCN102668279B权利要求书1/4页

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1.一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：

激光器构造体，其包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及

电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，

上述半导体区域含有由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层含有氮化镓系半导体层，

上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以角度CALPHA倾斜，

上述激光器构造体包含与m-n面交叉的第1及第2切断面，该m-n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所界定，

该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1及第2切断面，上述激光器构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，

上述角度CALPHA处于45度以上80度以下或者100度以上135度以下的范围，

上述激光器构造体包含在上述支撑基体的上述半极性主面上延伸的激光波导路，上述激光波导路在波导路向量的方向上延伸，该波导路向量的方向自上述第1及第2切断面的一方朝向另一方，

上述第1切断面在与上述m-n面正交的一个平面内相对于与上述波导路向量正交的基准面以角度β倾斜，上述角度β在上述第1切断面中的上述支撑基体的端面上被界定，

上述第1切断面在与上述m-n面正交的另一平面内相对于上述基