CN102403304A 一种互连结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102403304A

(43)申请公布日2012.04.04

(21)申请号201110401441.9

(22)申请日2011.12.06

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人赵宇航康晓旭

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人郑玮

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

23/538(2006.01)

21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书6页

附图10页

(54)发明名称

一种互连结构及其制作方法

在衬廉上沉积第

在衬廉上沉积第一互连介质层101

刘蚀第一互连介质层形成多个支摔柱102

在第一互连介质层上沉积牺牲层，

化学机械研磨牺牲层至支撑柱

在上述结构表面沉积第三互连介质层104

刻蚀第二互连介质层和牺牲层形成多个接触孔或通孔

去除第二互连介质层和村底之间的牺牲层

在上述结构表面沉积金属接触层和碳纳米管催化剂，在碳纳米管催化剂上自下而上生长成碳纳米管，

在支撑柱和碳纳米管之间形成密闭空腔

去除第二互连介质层上的

硅纳米管和金属接触层

在