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Mist-CVD设备及其控制系统设计与实现.pdf

Mist-CVD设备及其控制系统设计与实现.pdf

    摘要

    氧化镓（Ga₂O₃）作为新一代超宽禁带半导体材料，在功率器件与深紫外光

    电探测领域展现出巨大潜力。然而，传统外延技术（如MOCVD、MBE）因设备

    复杂、成本高昂限制了其产业化应用。雾化化学气相沉积（Mist-CVD）作为一种

    新兴的薄膜外延技术，以其低成本、生长源选择范围广等优势，在Ga₂O₃薄膜制

    备领域展现出巨大的应用价值。现阶段国内Mist-CVD法制备Ga₂O₃仍处于外延

    工艺的探索阶段，且该方法生长Ga₂O₃薄膜时存在反应腔体温度控制精度低、设

    备系统稳定性差、自动化程度

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