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半导体芯片制造中级工试题及答案

一、单项选择题（每题1分，共30分）

1.在硅片清洗工艺中，RCA1溶液的主要作用是

A.去除金属离子

B.去除有机污染物

C.去除自然氧化层

D.去除颗粒污染

答案：B

解析：RCA1（NH?OH:H?O?:H?O=1:1:5）在75℃下对有机污染物具有强氧化能力，同时可轻微腐蚀硅表面，剥离吸附颗粒。

2.光刻胶曝光后，显影液选择的首要依据是

A.胶厚

B.光源波长

C.正胶或负胶类型

D.硅片直径

答案：C

解析：正胶曝光区溶于显影液，负胶反之，显影液极性需匹配胶的极性，否则出现显影不足或过度。

3.在0.18μmCMOS工艺中，栅氧氮化（NO退火）主要目的是

A.降低界面态密度

B.提高介电常数

C.抑制硼穿透

D.减少氧化层电荷

答案：C

解析：NO退火在氮气氛中使SiO网络引入N，形成SiN键，阻挡p?多晶硅栅中硼向沟道扩散，抑制Vth漂移。

4.离子注入后，快速热退火（RTA）采用尖峰退火（SpikeAnneal）而非等温退火，主要是为了

A.降低热预算

B.减少扩散

C.激活更多掺杂

D.降低金属污染

答案：B

解析：尖峰退火升温速率150℃/s，峰值温度维持1s，可瞬间激活