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高Al组分AlGaN半导体中Mg杂质工程的研究与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，宽禁带半导体材料在现代光电子学领域中扮演着愈发重要的角色。其中，高Al组分AlGaN半导体凭借其独特的物理性质，在深紫外光电子学、高温电子学以及高频电子学等众多前沿领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点。

在深紫外光电子学领域，深紫外发光二极管（DUV-LED）和深紫外激光二极管（DUV-LD）等器件对于杀菌消毒、环境监测、生物医学检测以及光通信等应用至关重要。高Al组分AlGaN材料由于其较宽的禁带宽度，能够实现短波长的光发射，满足深紫外波段的需求。例如，