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《集成电路设计原理》试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共40分）

1.MOS管在饱和区工作时，漏极电流I_D的主要表达式是？

A.I_D=K_n*(W/L)*[(V_GS-V_TH)*V_DS-V_DS^2/2]

B.I_D=K_n*(W/L)*(V_GS-V_TH)^2

C.I_D=K_n*(W/L)*V_DS*(V_GS-V_TH)

D.I_D=K_n*(W/L)*V_DS^2

2.短沟道效应中，漏极诱导势垒降低（DIBL）会导致？

A.阈值电压升高

B.阈值电压降低

C.跨导增大

D.输出电阻增大

3.CMOS反相器的噪声容限主要由哪个参数决定？

A.电源电压V_DD

B.负载电容C_L

C.阈值电压V_TH

D.沟道长度L

4.在深亚微米工艺中，热电子效应主要影响MOS管的？

A.阈值电压

B.漏极电流

C.栅氧化层可靠性

D.衬底偏置效应

5.CMOS与非门中，PMOS管的宽比设计通常大于NMOS管，主