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电磁场理论与微波技术试卷B答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.麦克斯韦方程组中，描述“时变磁场产生电场”的方程是（）

A.?×E=-?B/?tB.?×H=J+?D/?tC.?·D=ρD.?·B=0

2.矩形波导中，TM模的截止波长λ_c与波导尺寸a、b（ab）的关系为（）

A.λ_c=2a/√(m2+n2)B.λ_c=2b/√(m2+n2)C.λ_c=1/√((m/2a)2+(n/2b)2)D.λ_c=2ab/√(m2b2+n2a2)

3.坡印廷矢量S的物理意义是（）

A.电磁能量密度B.电磁功率密度C.电场强度D.磁场强度

4.趋肤效应的主要成因是（）

A.导体电阻率B.时变磁场感应涡流C.介质损耗D.辐射损耗

5.无耗传输线的特性阻抗Z?等于（）

A.√(L/C)B.√(C/L)C.L/CD.C/L

6.在微波网络中，散射参数S??表示（）

A.端口①的反射系数B.端口①的传输系数C.端口②的反射系数D.端口①的增益

7.电场强度E与电位φ的关系在时变场中为（）

A.E=-?φB.E=?φC.E=-?φ-?A/?tD.E=?φ-?A/?t

8.电磁波在自由空间中的传播速度c等于（）

A.3×10?m/sB.3×10?m/sC.3×101?cm/sD.3×10?km/s

9.对于TEM波，其截止波长λ_c为（）

A.∞B.0C.2aD.2b

10.微波传输线中，特性阻抗Z?的单位是（）

A.欧姆(Ω)B.西门子(S)C.亨利(H)D.法拉(F)

二、填空题（每空2分，共12分）

1.坡印廷矢量S=____E×H____，其方向由____右手定则____确定。

2.无耗传输线的特性阻抗Z?=____√(L/C)____（L为单位长度电感，C为单位长度电容）。

3.电场强度E与电位φ的关系在静态场中为E=____-?φ____。

4.矩形波导中，TE??模的截止频率f_c=____c/(2a)____（c为光速，a为波导宽边尺寸）。

5.趋肤深度δ=____√(2/(ωμσ))____（ω为角频率，μ为磁导率，σ为电导率）。

6.微波网络中，散射矩阵S是____n×n____方阵（n为端口数）。

三、简答题（每题7分，共28分）

1.简述“趋肤效应”的成因及对微波导体设计的影响。

2.解释史密斯圆图在微波工程中的应用步骤。

3.比较TEM波、TE波和TM波的主要特性。

4.描述无耗传输线上的三种工作状态（匹配、短路、开路）及其输入阻抗特性。

四、计算题（每题10分，共40分）

1.已知无耗同轴线内导体半径a=2mm，外导体半径b=8mm，填充介质的相对介电常数ε?=4，相对磁导率μ?=1，工作频率f=2GHz。求：（1）特性阻抗Z?；（2）相速度v_p；（3）波长λ_g。

2.矩形波导尺寸a=23mm，b=10mm，填充空气（ε?=1,μ?=1）。计算TE??模的截止波长λ_c、截止频率f_c，并判断当工作频率f=10GHz时，该模式是否传播。

3.一段长度为λ/4的无耗传输线，特性阻抗Z?=50Ω，终端接负载Z_L=100Ω。求输入阻抗Z_in。

4.微波网络有两个端口，散射参数矩阵为S=[0.20.8;0.80.2]。求端口①的反射系数Γ??和端口①到端口②的传输系数T??。

试卷答案

一、选择题

1.A

解析思路：麦克斯韦方程组中，?×E=-?B/?t描述法拉第电磁感应定律，即时变磁场产生电场；B选项描述安培环路定律；C选项描述高斯电场定律；D选项描述高斯磁场定律。因此A正确。

2.C

解析思路：矩形波导中TM模的截止波长公式为λ_c=1/√((m/2a)2+(n/2b)2)，其中m、n为模指数；A选项是TE模的近似公式；B选项混淆a、b作用；D选项错误。因此C正确。

3.B

解析思路：坡印廷矢量S=E×H，表示电磁功率流密度；A选项是能量密度；C、D选项是场强本身。因此B正确。

4.B

解析思路：趋肤效应由时变磁场在导体内部感应涡流引起，涡流与原磁场叠加导致电流集中表面；A选项是电阻率影响但非主因；C、