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基于原子力显微镜的三维表面多参数检测技术参赛单位：xxxx参赛模队：xxxxMultiparameterdetectiontechnologyforthree-dimensionalsurfaces

一、研究背景LOGO遇到的问题摩尔定律下的半导体电路集成度接近物理极限微纳米尺寸下短沟道效应和泄漏电流问题显著传统平面式微纳米器件结构应用受到严重制约半导体行业迎来“超越摩尔”新趋势近年来，半导体器件尺寸不断缩小以满足大规模集成电路的高功能密度需求尽管如此,高性能芯片的发展并未停滞,反而出现了一种“超越摩尔”的新趋势多个领域微纳米级半导体制造工艺革新航空航天交通运输军事装备医疗卫生