红外焦平面芯片及器件关键技术研发与产业化项目可行性研究报告.docx

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红外焦平面芯片及器件关键技术研发与产业化项目可行性研究报告

编制单位:中科创芯科技咨询(北京)有限公司

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称:红外焦平面芯片及器件关键技术研发与产业化项目

项目建设性质:该项目属于新建高新技术产业项目,聚焦红外焦平面芯片及器件领域的关键技术突破与规模化生产,填补国内中高端红外成像器件的产能缺口,推动产业链自主可控发展。

项目占地及用地指标:项目规划总用地面积35000平方米(折合约52.5亩),建筑物基底占地面积21700平方米;总建筑面积42800平方米,其中研发综合楼8600平方米、生产厂房28500平方米、检测中心3200平方米、配套辅

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