CN115207177B 发光二极管外延片及其制备方法 (江西兆驰半导体有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.36万字
  • 约 10页
  • 2026-03-15 发布于山西
  • 举报

CN115207177B 发光二极管外延片及其制备方法 (江西兆驰半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115207177B

(45)授权公告日2025.05.09

(21)申请号202210982925.5H10H20/825(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档