CN103904113A 加栅场板耗尽型AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103904113A

(43)申请公布日2014.07.02

(21)申请号201410025458.2

(22)申请日2014.01.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

HO1L

29/778(2006.01)29/40(2006.01)

29/06(2006.01)

(54)发明名称

加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法

钝化层硅化物

钝化层

硅化物

AGaN

AIN桑离属：

GaN

衬底

绝缘层

加厚电极

CN103904113A本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂