CN103779412A 一种基于耗尽型高压器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103779412A

(43)申请公布日2014.05.07

(21)申请号201410029885.8

(22)申请日2014.01.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴梁日泉代波郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人(51)Int.CI.

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郭官厚

29/778(2006.01)

29/06(2006.01)

21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于耗尽型高压器件及其制作方法

(57)摘要

CN103779412A本发明公开了一种基于耗尽型高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、A1N隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性A1GaN层，线性A1GaN层的部分区域上方外延有p-GaN层，P-GaN