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- 2026-03-17 发布于浙江
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南京邮电大学集成电路科学与工程学院、射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验
和核探测与核电子学国家重点实验室的联合科研团队在《光学学报》期刊上发表了如下文
章。该文章第一作者为王帅康，通讯作者为徐跃。本文基于0.18μmBCD工艺研究并实现
了一种近红外高灵敏度dTOF探测器。
一种硅基高灵敏度近红外单光子dTOF探测器
SPAD器件
器件结构
所提出的近红外SPAD器件的截面图如图2所示。该器件利用BCD工艺提供的高压p阱
（HVPW）和高压n+埋层（HVBN）之间形成的深结耗尽层作为雪崩倍增区，有效提高对近红
外光子的探测概率。同时
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