60V N沟道MOSFET概述与特性.pdfVIP

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FQA170N0660VN沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。

这种先进技术特别针对最小化导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承

受高能量脉冲进行了优化。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器以及

便携式和电池供电产品的高效开关电源管理。

特性

•170A，60V，RDS(导通)= 0.0056Ω@VGS= 10∨$\textcircled{\alpha}\mathsf{V}_{

\mathsf{GS}}=10\mathsf{V}$

•低栅极电荷（典型值220nC）

•低Crss（典型值620pF）

•快速开关

•100%雪崩测试

•改进的dv/dt能力

•175最大结温额定值为C∘

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FQA170N0660VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription

TheseN-Channelenhancementm