2026《半导体激光器光场限制因子的研究文献综述》2400字.docxVIP

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半导体激光器光场限制因子的研究文献综述

1962年，第一台同质结REF_Re\r\h[1]半导体激光器问世，但由于同质结半导体激光器的临界电流密度很高，不能在室温下实现连续受激激发，导致其几乎没有任何实用性。8年后，贝尔实验室实现了双异质结激光器在室温条件下的连续受激发射以来，从此半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展。近十几年来，半导体激光器的发展更加迅速。它已成为世界上发展最快的激光技术。从第一台半导体激光器问世到现在，半导体激光器从最初的低温(77K)发展到可在室温下连续工作，由小功率型向大功率型转变，输出功率也从mW级到KW级，有源层材料结构也已从均匀结发展到单异质结、双异质结、量子阱等多种形式。

半导体激光器在实际生活中的应用有：（1）红光半导体激光器，在光学信息存储、条形码扫描、激光打印和复印以及医学等方面的应用上渐渐取代了He-Ne激光器的一些市场。（2）蓝光激光器，提高了信息存储的容量，并推动海洋探测技术的发展。在军事上，可以用这个波段的激光进行探测潜艇位置和潜艇通信、潜艇导航及鱼雷跟踪，在环境科学方面，可以用于海洋污染监测，海底成像等。（3）激光打印机，采用了高功率的蓝绿光半导体激光器，使打印的速率和分辨率获得了显著提升。（4）激光切割，激光器产生高能量的超短波光脉