CN118866819B FinFET器件的形成方法 （杭州积海半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118866819B(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202411346266.1

(22)申请日2024.09.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118866819A

(43)申请公布日2024.10.29

(56)对比文件

CN108172547A,2018.06.15

CN103943500A,2014.07.23

审查员王丹

(73)专利权人杭州积海半导体有限公司

地址311225浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人胡明宇李亮刘晃

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师顾丹丽

(51)Int.CI.

H10D84/03(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

FinFET器件的形成方法

(57)摘要

本发明提供了一种FinFET器件的形成方法，包括：S1:将衬底分为间隔的NMOS区域和PMOS区域；S2:在衬底上均形成多个栅极、多个硬掩膜层和介