CN118831585B 一种具有近红外光催化性能的富含空穴的氧化钼纳米片及其制备方法和应用 (上海交通大学).pdfVIP

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  • 2026-03-17 发布于重庆
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CN118831585B 一种具有近红外光催化性能的富含空穴的氧化钼纳米片及其制备方法和应用 (上海交通大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118831585B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202410807747.1C01G39/02(2006.01)

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