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大规模集成电路试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.选择题/填空题（共10题，每题3分，总分30分）

1.MOSFET的阈值电压主要由什么因素决定？

A.栅极电压

B.源漏电压

C.衬底掺杂浓度

D.沟道长度

2.在CMOS工艺中，STI代表________。

3.按比例缩小理论中，恒定电场缩小的特点是________。

A.电压不变

B.电场不变

C.尺寸不变

D.功耗不变

4.闩锁效应是由________结构引起的寄生效应。

5.逻辑门电路中，噪声容限定义为________。

A.V_OH-V_IL

B.V_OH-V_IH

C.V_OH-V_OL

D.V_IL-V_IH

6.MOS管的导通电阻与________成反比。

7.在Elmore延迟模型中，延迟主要取决于________。

A.电阻

B.电容

C.电流

D.电压

8.C