CN118888511B 隔离结构形成方法、半导体器件制备方法及半导体器件 （粤芯半导体技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118888511B(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202411323976.2

(22)申请日2024.09.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118888511A

(43)申请公布日2024.11.01

(73)专利权人粤芯半导体技术股份有限公司地址510000广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人李世韦欧阳文森王胜林

(74)专利代理机构北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙)11884

专利代理师陈照辉

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)

H01L23/29(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

H10D62/10(2025.01)

(56)对比文件

CN108110043A,2018.06.01CN113035688A,2021.06.25

审查员李毅妮

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

隔离结构形成方法、半导体器件制备方法及半导体器件

在晶圆的正面刻