CN117362887A 一种基于3d打印的金属电子元件及其制备方法 （西南交通大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117362887A(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311476700.3

(22)申请日2023.11.08

(71)申请人西南交通大学

地址610031四川省成都市二环路北一段

111号

(72)发明人王楠蒋薇李奕

(74)专利代理机构成都信捷同创知识产权代理事务所(普通合伙)51323

专利代理师左正超

(51)Int.CI.

C08LC08KC08KC08K

39/06(2006.01)3/30(2006.01)

3/04(2006.01)

3/08(2006.01)

权利要求书1页说明书3页

(54)发明名称

一种基于3D打印的金属电子元件及其制备

方法

(57)摘要

CN117362887A本发明属于复合材料技术领域技术领域，公开了一种基于3D打印的金属电子元件及其制备方法，金属电子元件的制备方法包括步骤：取MoS?粉末、石墨粉、PVP和溶剂放入球磨机中球磨得到MoS?分散液；取MoS?分散液和AlSi7Mg粉末放入球磨机中球磨得到MoS?改性复合材料；对所需打印的电子元件进行建模，将MoS?改性复合材料作为3D打印的原料，3