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808nm无铝GaAsP量子阱大功率半导体激光器：制备工艺、性能优化与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体激光器自诞生以来，凭借其体积小、效率高、可靠性强等显著优势，在众多领域得到了广泛应用。其中，808nm半导体激光器由于其独特的波长特性，成为了多个关键领域不可或缺的核心器件。在医疗领域，808nm激光可穿透表皮直达深层组织，在牙科手术中能精准切割而不损伤周围组织，利用光热效应还能在疼痛治疗中缓解炎症，为医疗技术的发展提供了新的手段。在工业应用方面，该波长对塑料、聚合物材料吸收率高，搭配一定输出功率，可实现微米级焊接，避免热变形，在汽车电子等行业的精密制造中发挥着重要作用。在科研场景中，其TEM00基模确保光束质量接近理想高斯分布，适用于光谱分析与激光泵浦实验等，为科研工作的开展提供了有力支持。此外，808nm半导体激光器还是Nd:YAG固体激光器的理想泵浦源，在光通信、光存储等领域也有重要应用，推动着相关技术的不断进步。

传统的808nm半导体激光器多采用AlGaAs/GaAs材料体系，然而铝元素极易被氧化，这严重影响了激光器的性能和稳定性。在实际工作过程中，氧化现象可能导致激光器的阈值电流增加、输出功率下降，甚至引发器件的失效，极大地限制了其在一些对可靠性和稳定性要求较高的场景中的应用。为了解决这些问题，无铝GaAsP量子阱结构应运而