功率半导体应用手册 (第 2 版)・高频考点速记（精简背诵版）.docxVIP

功率半导体应用手册(第2版)?高频考点速记（精简背诵版）

一、器件核心（必背）

IGBT

器件特性：MOS栅极驱动+双极型导通，压控型、低导通压降、高耐压

关键参数：VGE(th)、VCE(sat)、Eon/Eoff、短路耐受时间tsc

易错点：IGBT关断拖尾电流MOSFET，开关速度低于SiC-MOSFET

MOSFET

特性：压控、高速开关、无少子存储

适用：低压高频（如服务器电源、充电桩、小功率电源）

易错点：Rdson随温度上升，并联需均流

二极管/FRD/SiC二极管

FRD：快恢复，降低反向恢复损耗

SiC二极管：无反向恢复，适合高频、高效率

晶闸管/双向晶闸管

电流控关、半控型，用于工频整流、软启动、无功补偿

二、驱动与保护（必考）

栅极驱动核心

目的：可靠开通关断、抑制振荡、提高抗干扰

Rg增大：di/dt、dv/dt减小，损耗增大，EMI变好

Rg减小：开关更快，易振荡、过冲

短路保护

IGBT短路分：故障短路(FS)、硬开关短路(HSS)

必须快速限流+软关断，禁止长时间短路

过压保护

关断过压=Ls*di/dt

手段：降低杂散电感、RCD吸收、有源钳位

三、热管理（计算常考）

热路公式

Tj?=Tc?+Ploss?×Rth(jc)?

结温=壳温+损耗×热阻

关键热阻

Rth