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《功率半导体应用手册（第2版）》

基础出版信息

原版名：ApplicationManualPowerSemiconductors(2ndEdition)；出版年份：2015（中文译本同步）

作者：阿伦特?文特里希博士、乌里希?尼古莱博士、文纳?图斯基博士、托比亚斯?莱曼博士教授；译者：任庚；出版方：ISLEVerlag（德国），赛米控（SEMIKRON）编写

页数：约452页；ISBN（英文）：978-3-938843-83-3；有纸质版、PDF电子版（官网可获取）

核心章节与内容要点

器件基础：IGBT、MOSFET、整流二极管、晶闸管（可控硅）的工作原理、特性参数、选型方法；解读datasheet关键指标的实际意义。

驱动与保护：栅极驱动电路设计、驱动电阻选型、过压/过流/短路保护方案；寄生参数抑制与吸收电路设计。

热管理：散热计算、散热器选型、热界面材料应用；风冷/水冷/热管方案对比；功率模块的热阻与寿命评估。

功率布局与布线：低感母排设计、PCB寄生电感控制；并联/串联连接的均流与均压措施。

拓扑与应用：软开关、三电平拓扑；工业传动、光伏逆变器、电动汽车电驱系统的实际案例。

可靠性与测试：封装技术、寿命周期分析、功率循环测试、现场故障诊断。

版本差异与定位

第1版侧重IGBT/MOSFET模块；第2版新增了整流二极