CN118645470B 堆叠晶圆深硅通孔形成方法及半导体器件 (北京芯力技术创新中心有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-18 发布于重庆
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CN118645470B 堆叠晶圆深硅通孔形成方法及半导体器件 (北京芯力技术创新中心有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118645470B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202410880550.0(56)对比文件

(22)申请日2024.07.02CN105428309A,2016.03.23

US2014110862A1,2014.04.24

(65)同一申请的已公布的文献号

审查员赵端

申请公布号CN118645470A

(43)申请公布日2024.09.13

(73)专利权人北京芯力技术创新中心有限公司

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