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CN118473487B 用于部分校准阵列的稀疏子阵选择与波束形成设计方法 （南京理工大学）.pdfVIP

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  • 2026-03-18 发布于重庆
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CN118473487B 用于部分校准阵列的稀疏子阵选择与波束形成设计方法 （南京理工大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN118473487B

    (45)授权公告日2025.01.14

    (21)申请号202410689846.4(51)Int.Cl.

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