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2025年半导体物理试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题3分，共30分）

1.在室温（300K）下，本征锗（Ge）的禁带宽度为0.67eV，其本征载流子浓度约为（）

A.1.0×1013cm?3B.1.0×101?cm?3C.1.0×101?cm?3D.1.0×1022cm?3

2.关于半导体中载流子的迁移率，下列说法正确的是（）

A.电子迁移率通常高于空穴迁移率

B.迁移率与温度无关

C.掺杂浓度越高，迁移率越大

D.迁移率仅由材料本身决定，与电场强度无关

3.p-n结处于正向偏置时，其主要特点是（）

A.势垒高度增加，载流子难以通过

B.扩散电流远大于漂移电流

C.结电容显著增大，可用于高频电路

D.反向饱和电流随电压增大而线性增加

4.下列半导体材料中，属于直接带隙的是（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.碳化硅（SiC）

5.MIS结构中，当半导体表面出现耗尽层时，其表面势ψ_s满足（）

A.ψ_s0B.0ψ_s2φ_FC.ψ_s