半导体物理与器件课后习题试卷及答案.docxVIP

半导体物理与器件课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.室温下，本征硅（Si）和本征锗（Ge）的禁带宽度分别为1.12eV和0.67eV，则本征载流子浓度关系为？

A.ni(Si)ni(Ge)

B.ni(Si)=ni(Ge)

C.ni(Si)ni(Ge)

D.无法确定

2.在N型半导体中，若施主浓度ND=10^16cm^-3，室温下几乎全部电离，则多数载流子浓度约为？

A.10^10cm^-3

B.10^16cm^-3

C.10^6cm^-3

D.10^20cm^-3

3.半导体中载流子的迁移率主要受什么因素影响？

A.温度

B.掺杂浓度

C.电场强度

D.A、B、C都对

4.PN结加反向偏压时，其主要特性是？

A.导通状态

B.反向饱和电流

C.耗尽层变宽

D.B和C都对

5.爱因斯坦关系描述了半导体中哪两个参数的关系？

A.迁移率和电导率

B.扩散系数和迁移率

C.载流子浓度和温度

D.禁带宽