CN104037217A 一种基于复合偶极层的AlGaNGaN HEMT开关器件结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104037217A

(43)申请公布日2014.09.10

(21)申请号201410312108.4

(22)申请日2014.07.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于复合偶极层的AlGaN/GaNHEMT开关器件结构及制作方法

(57)摘要

CN104037217AAL调根IT嫌电极9099顿LIPe9D0纯化层有机绝楼层ee00006l钝化屋ALGa惨杂鹰A10mM本征层Ga沟道层A.3隔离层6缓层村底本发明公开了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaNHEMT