CN104034781A 一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法 （深圳市普利斯通传感科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104034781A

(43)申请公布日2014.09.10

(21)申请号201410268513.0

(22)申请日2014.06.16

(71)申请人深圳市普利斯通传感科技有限公司地址518000广东省深圳市宝安区松岗江边

第三工业区中心大道11号四洲盛厂房

1栋201申请人江澍

(72)发明人黄海琴宗红军黄海军

(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所

44242

代理人冯筠

(51)Int.CI.

GO1N27/409(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法

(57)摘要

CN104034781A15本发明公开了一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：步骤1,将氧化钇稳定氧化锆粉体制成稳定均匀的浆料并流延，剪切形成第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片；步骤2,对第二层流延基片进行打孔形成扩散空腔，对第三层流延基片进行打孔形成扩散通道，对第四层流延基片进行打孔形成反应空腔，对第六层流延基片进行打孔形成导电孔。本发明通过采用有机烧结挥