CN104025318A 氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法 （住友电气工业株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104025318A

(43)申请公布日2014.09.03

(21)申请号201280053028.0

(22)申请日2012.08.13

(30)优先权数据

2011-2415232011.11.02JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2014.04.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2012/0706292012.08.13

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/065381JA2013.05.10

(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市

(72)发明人京野孝史盐谷阳平上野昌纪

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219

代理人李亚穆德骏

(51)Int.CI.

HO1L33/32(2006.01)

HO1S5/343(2006.01)

权利要求书4页说明书21页附图13页

(54)发明名称

氮化物半导体发光元件、以及氮化物半导体发光元件的制作方法

(a)17c

(a)

17c

EP1

19_1a

(150

13a17a

SC

Vc

13b

CR

本发明提供一种设置于半极性面上并