CN103996707A 加栅场板增强型AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103996707A

(43)申请公布日2014.08.20

(21)申请号201410024945.7

(22)申请日2014.01.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

加栅场板增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法

钝化层硅化物

钝化层

硅化物加摩电极

GaN

衬底

绝缘层相极

本发明公开了一种加栅场板增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电