CN117936573B 一种igbt半导体结构及其制造方法 (赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-19 发布于重庆
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CN117936573B 一种igbt半导体结构及其制造方法 (赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN117936573B

(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202410107030.6(74)专利代理机构北京力量专利代理事务所

(特殊普通合伙)11504

(22)申请日2024.01.25

专利代理师毛雨田

(65)同一申请的已公布的文献号

(51)Int.Cl.

申请公布号CN117936573A

H10D12/00

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