《GBT+44558-2024 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》练习题试.pdfVIP

《GBT+44558-2024III族氮化物半导体材料中位错

成像的测试透射电子显微镜法》练习题试卷

一、单选题（共15题，每题2分，共30分）

1.GB/T44558-2024标准主要适用于对哪种晶体结构的III族氮化物半导体材

料进行位错成像测试？

A.立方晶系

B.六方晶系

C.四方晶系

D.正交晶系

2.根据标准，该测试方法主要基于哪两种核心技术的结合？

A.扫描电镜成像与能谱分析

B.位错消像判据与暗场成像技术

C.X射线衍射与拉曼光谱

D.原子力显微镜与荧光成像

3.该方法可以区分以下哪种类型的位错？

A.仅能区分刃型位错和螺型位错

B.a型、c型及a+c型位错

C.仅能区分全位错和不全位错

D.仅能区分位错环和位错线

4.标准旨在为相关检测与研发机构提供什么？

A.一种可选的非标准化探索方法

B.一套可重复的标准化检测流程

C.透射电镜设备的生产标准

D.材料生长工艺的优化方案

5.样品制备是TEM测试的关键步骤。对于III族氮化物薄膜，最可能采用的样品

制备终点是获得？

A.块体抛光样品

B.粉末样品

C.电子束透明的薄区（通常100nm）

D.表面喷金涂层

6.在利用“位错消像判据”时，操作者通过