CN115849910B 一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法 (航天材料及工艺研究所).pdfVIP

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  • 2026-03-19 发布于重庆
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CN115849910B 一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法 (航天材料及工艺研究所).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115849910B

(45)授权公告日2025.01.17

(21)申请号202211544338.4C04B35/64(2006.01)

(22)申请日2022.12.04(56)对比文件

(65)同一申请的已公布的文献号CN111393579A,2020.07.10

申请公布号CN115849910AKe-ZhiLi等.Ablationmechanismof

carbon/carboncompositesmodifiedbyHfC–

(43)申请公布日

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