CN114464667B 一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽mosfet结构及其制造方法 (龙腾半导体股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-19 发布于山西
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CN114464667B 一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽mosfet结构及其制造方法 (龙腾半导体股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114464667B

(45)授权公告日2025.05.27

(21)申请号202111609117.6

(22)申请日2021.12.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114464667A

(43)申请公布日2022.05.10

(73)专利权人龙腾半导体股份有限公司

地址710018陕西省西安市未央区经济技

术开发区凤城十二路1号出口加工区

(72)发明人杨乐李铁生王荣华楼颖颖

(74)专利代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司61114

专利代理师李罡

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