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- 2026-03-20 发布于云南
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一、从冯·诺依曼瓶颈到存算一体革命:专家深度剖析十五五计算体系的核心跃迁
二、神经形态计算:模拟人脑的颠覆性架构与其背后的新型材料“神经元”
三、存算一体芯片的核心赛道:近存计算与存内计算,及其对材料体系的差异化需求
四、忆阻器:通往神经形态计算的关键“突触”,专家解读其材料选择与性能博弈
五、相变存储材料(PCM)新突破:如何在十五五期间实现速度与稳定性的双重飞跃?
六、新型磁性材料(MRAM/MRAM-like)在存算一体芯片中的潜力与挑战
七、铁电材料(FeFET/FeRAM)的复苏:低功耗存算一体芯片的理想候选者?
八、低维材料(石墨烯/过渡金属硫化物)在神经形态计算中的应用前景:是未来还是炒作?
九、先进制程下的新材料集成难题:专家谈十五五期间“创芯”路上的工艺与设备挑战
十、未来已来:十五五期间,新型材料体系如何重塑中国的半导体产业链安全与机遇?;;“存储墙”困境:为什么传统架构在AI时代难以为继?;十五年技术沉淀与爆发:存算一体从学术探索走向产业落地的必然性;专家视角:计算范式的“寒武纪大爆发”与材料科学的时代机遇;;;;;新型材料“神经元”图谱:忆阻器、相变材料等如何构建突触及胞体?;专家深度剖析:脉冲神经网络(SNN)硬件化的材料突破口;;概念厘清:近存计算(计算靠近存储)与存内计算(计算在存储内)的本质区别;近存计算的材料挑战:高带
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