GB_T 43493.1—2023《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》等系列国家标准解读.pdfVIP

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GB/T43493.1—2023《半导体器件功率器件用碳化硅同

质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》

等系列国家标准解读

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芦伟立房玉龙王波李帅王健韩明睿王启蘅李建涛

（中国电子科技集团公司第十三研究所）

摘要：近两年全球对碳化硅（SiC）材料的需求呈爆发式增长，SiC外延片作为功率器件的核心材料，其质量和性能直接决

定了器件的可靠性和使用寿命。制定SiC外延片国家标准，规范SiC外延片的缺陷分类及其检测方法，指导SiC外延片的生产

和使用，对于促进国内SiC半导体材料和SiC基功率半导体器件的高质量发展发挥着重要作用。本文对GB/T​43493.1—2023

《半导体器件​功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据​第1部分：缺陷分类》等3个国家标准进行解读，并

对重点内容进行评析，帮助标准使用者更好的理解、贯彻和实施。

关键词：碳化硅；缺陷；国家标准

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