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2025年半导体器件生产与检测手册

第1章器件生产概述

1.1器件生产流程介绍

半导体器件的生产流程通常包括材料准备、晶圆制备、工艺实施、检测与封装等多个阶段。以CMOS器件为例，其生产流程可拆解为：晶圆切割、光刻、蚀刻、沉积、掺杂、扩散、金属互连、封装等步骤。晶圆切割是生产的第一步，通过化学机械抛光（CMP）将大尺寸晶圆切割为多个小晶圆片，确保各晶圆片尺寸一致。

光刻是关键步骤之一，使用光刻机在晶圆表面沉积光刻胶，通过紫外光曝光形成电路图案。蚀刻通过化学蚀刻或等离子体蚀刻技术，去除未曝光的光刻胶，形成精确的电路结构。沉积是通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）在晶