CN113488465B 半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-23 发布于山西
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CN113488465B 半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113488465B

(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202110409617.9

(22)申请日2021.04.16

(65)同一申请的已公布的文献号

(51)Int.Cl.

H10D84/83(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

(56)对比文件

CN109196653A,2019.01.11

KR20190036533A,2019.04.04

KR20190078818A,2019.07.05审查员冯翠月

权利要求书2页说明书10页附图16

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