对PVT变化鲁棒RF跨导线性化技术.pdfVIP

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对工艺、电压和温度变化鲁棒的RF跨导

线性化

HarishKundurSubramaniyan，IEEE学生会员，EricA.M.Klumperink，IEEE高级会

员，VenkateshSrinivasan，IEEE会员，AliKiaei，IEEE会员，BramNauta，IEEE

—软件定义无线电越来越多地利用线性的RFV‑I转换，而不是RF电压增益，以

提高能力。不幸的是，通常用于实现V‑I转换的CMOS反相器的线性度对工艺、电

压和温度变化非常敏感。本文提出了一种基于电阻的更鲁棒的技术。为了减轻由

MOSFETI‑V特性引起的三阶IM3失真，提出了一种新的线性化技术，该技术通过使用浮

动电池旁路电路和品偏置来以鲁棒的方式改善IIP3。本文解释了这一概念并分析了线

性度的改进。为了演示操作，本文在${\bf45\nm}$CMOS工艺中实现了一个带有电

流域混频器的LNTA。与具有相同跨导的传统反相器基LNTA相比，它将IIP3从2dBm提

高到鲁棒的$\bf{P_{IIP3}}$为8dBm，代价是功耗增加了67%。

索引术语—CMO