CN113540059B 封装的半导体器件及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约4.72万字
  • 约 112页
  • 2026-03-23 发布于山西
  • 举报

CN113540059B 封装的半导体器件及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113540059B

(45)授权公告日2023.07.21

(21)申请号202110718925.X

(22)申请日2021.06.28

(65)同一申请的已公布的文献号

(51)Int.Cl.

H01L25/16(2023.01)

H01L23/488(2006.01)

H01L21/50(2006.01)

H10B80/00(2023.01)

(56)对比文件

CN106469717A,2017.03.01

CN1708840A,2005.12.14

CN107039337A,20

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档