2025年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案.docVIP

2025年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种材料是半导体存储芯片的核心衬底材料？

A.锗B.硅C.砷化镓D.氮化镓

2.DRAM存储单元的核心组成部分是？

A.六管CMOS电路B.一管一电容C.电荷陷阱层D.浮栅晶体管

3.NAND闪存中，最小的擦除操作单位是？

A.字节B.页C.块D.芯片

4.FinFET工艺相对于传统平面晶体管的主要优势是？

A.更高的存储密度B.更小的短沟道效应C.更低的制造成本D.更好的散热性能

5.以下哪种技术能提高DRAM的存储单元密度？

A.缩小晶体管沟道长度B.增大存储电容面积C.采用堆叠电容结构D.增加金属互联层数

6.ECC（错误检查与纠正）技术的主要作用是？

A.提高内存的读写速度B.纠正单比特错误并检测双比特错误C.增加内存的存储容量D.降低内存的功耗

7.内存时序参数中，CASLatency（CL）指的是？

A.行地址选通到列地址选通的延迟B.列地址选通到数据输出的延迟C.行预充电的时间D.刷新周期

8.3DNAND闪存中，常用的存储介质类型是？

A.浮栅型B.电荷陷阱型C.磁阻型D.相变型

9.SRAM存储单元能保持数据稳定的原理是？

A.电容存储电荷B.双稳态触发器C.浮栅存储电荷D.相变材料状态

10.以下哪种协议用