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集成电路制造考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中，实现图形转移的核心步骤是（）。

A.涂胶

B.前烘

C.曝光

D.显影

2.下列掺杂方法中，可实现精确深度控制的是（）。

A.热扩散

B.离子注入

C.固源扩散

D.气相掺杂

3.硅片制备的标准流程中，单晶生长后的步骤是（）。

A.氧化

B.清洗

C.切磨抛

D.外延生长

4.下列薄膜沉积方法中，属于物理气相沉积的是（）。

A.CVD

B.PVD

C.ALD

D.MOCVD

5.等离子体刻蚀中，用于提高刻蚀选择性的气体通常是（）。

A.氧气

B.氟化氢

C.氯气

D.氩气

6.光刻工艺中，影响分辨率的关键参数不包括（）。

A.光源波长

B.数值孔径

C.曝光时间

D.工艺因子

7.掺杂工艺中，热扩散的主要驱动力是（）。

A.电场

B.浓度梯度

C.离子轰击