Si基板上自由悬臂波导用于Si N混合光子集成.pdfVIP

table{border‑collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

用于Si/GaN混合光子集成的Si衬底上的

GaN自由悬臂波导

T.Sekiya1,T.Sasaki1,和K.Hane1

1东学纳米力学系，仙台

件与Si器件结合，对于未来在光学MEMS中的混合集成（如嵌入式光源与电子

电路的集成）具有巨大潜力。然而，由于GaN的折射率低于Si，GaN光波导不能直接在

Si衬底上形成。本研究中，通过外延生长在Si衬底上形成GaN层，并通过使用XeF蚀刻

2

Si衬底来Si衬底上的GaN自由悬臂波导。这些波导由桥结构支撑。使用有限差分时域

（FDTD）方法模拟光波。GaN波导采用光刻技术使用Cl等离子体进行图案

2

化，并检查了其蚀刻特性。测量了蓝光和红外波长下的波导损耗等性能。

aN，光子波导