CN119913620A GaN厚膜生长载盘及GaN厚膜制备方法 (东莞市中镓半导体科技有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 12页
  • 2026-03-23 发布于重庆
  • 举报

CN119913620A GaN厚膜生长载盘及GaN厚膜制备方法 (东莞市中镓半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119913620A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510110112.0

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人东莞市中镓半导体科技有限公司

地址523000广东省东莞市企石镇五纵路3

号1号楼

(72)发明人庄文荣张锐华

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师赵贯杰张艳美

(51)Int.Cl.

C30B29/40(2006.01)

C30B25/12(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档